導(dǎo)讀:繼2025下半年開啟一輪漲價周期后,2026年開年存儲芯片再度迎來第二輪價格跳漲,且漲幅遠超業(yè)內(nèi)預(yù)期。DRAM、NAND Flash全線跳漲,HBM更是陷入“有錢也拿不到貨”的瘋搶局面。
春節(jié)剛過,存儲行業(yè)就拋出一枚“重磅炸彈”!
繼2025下半年開啟一輪漲價周期后,2026年開年存儲芯片再度迎來第二輪價格跳漲,且漲幅遠超業(yè)內(nèi)預(yù)期。DRAM、NAND Flash全線跳漲,HBM更是陷入“有錢也拿不到貨”的瘋搶局面。
不同于過往多為短期波動的季度反彈,此輪漲價顯現(xiàn)出更強的持續(xù)性與結(jié)構(gòu)性特征,其背后是AI算力爆發(fā)、行業(yè)寡頭控產(chǎn)、消費電子復(fù)蘇三大因素的深度共振,更標志著存儲行業(yè)正從過去的“周期性波動”,邁入一個“結(jié)構(gòu)性稀缺”的新階段。
二次漲價落地,漲幅全面上修
從市場動態(tài)來看,閃迪已向部分下游客戶拋出堪稱“前所未聞”的供應(yīng)合同:要求客戶支付100%現(xiàn)金預(yù)付款,以此鎖定未來1至3年的存儲芯片配額。野村證券也在報告中指出,閃迪計劃在3月將其用于企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)的高容量3D NAND閃存芯片價格環(huán)比上調(diào)超過100%。
無獨有偶,全球DRAM領(lǐng)域的兩大巨頭三星、SK海力士,也已正式向客戶發(fā)出通知,明確第二季度將繼續(xù)大幅上調(diào)DRAM產(chǎn)品價格。其中部分產(chǎn)品漲幅高達100%,DDR5顆粒更是實現(xiàn)統(tǒng)一漲價40%;中小客戶甚至需接受兩倍以上漲幅才能拿到貨源,全球存儲市場徹底進入“賣方市場”。
甚至有相關(guān)企業(yè)直言,2026年全年將無法滿足所有客戶的供貨需求,目前行業(yè)整體庫存僅能維持約4周,遠低于行業(yè)安全線,處于歷史極低水平。
從漲價幅度來看,市場預(yù)期已多次上修。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示,2026年第一季度DRAM合約價季漲幅從55%-60%上修至90%-95%;NAND Flash合約價季漲幅從33%-38%上修至55%-60%,且機構(gòu)認為后續(xù)仍有上調(diào)空間。
Counterpoint Research則預(yù)測,存儲價格在2026年Q1還將再漲40%–50%,Q2預(yù)計繼續(xù)上漲約20%。其中,64GB RDIMM內(nèi)存的價格已從2025年Q3的255美元大幅上漲至Q4的450美元,預(yù)計2026年Q1進一步上漲至700美元。
三大不可逆因素,撐起二次漲價潮
自2025年全球存儲芯片、硬盤開啟漲價周期以來,這股熱潮并未消退,反而在2026年迎來二次爆發(fā),漲幅持續(xù)擴大、傳導(dǎo)速度加快。
根據(jù)國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心調(diào)研數(shù)據(jù)顯示,截至2026年1月,存儲芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND閃存價格均創(chuàng)下2016年有數(shù)據(jù)以來的最高水平。
以主流型號為例,1月DRAM(DDR4 8Gb 1G8)合約平均價格為11.5美元,比上月上漲約24%,較2025年9月上漲約83%;NAND閃存(128Gb 16G8 MLC)合約平均價格為9.5美元,比上月上漲約65%,較2025年9月上漲近1.5倍。
深究本輪二次漲價的核心成因,三大不可逆因素形成合力,撐起了這場漲價潮。
其中,AI產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長為根本驅(qū)動力。以AI服務(wù)器為例,其對DRAM的需求是普通服務(wù)器的8至10倍,NAND閃存需求更是提升12倍以上。譬如OpenAI的“星門”項目,每月對DRAM晶圓的需求量高達90萬片,這一數(shù)字接近全球DRAM月產(chǎn)能的53%。
在高端利潤驅(qū)動下,三星、SK海力士、美光等三大巨頭紛紛將先進制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM與服務(wù)器級存儲產(chǎn)品,從而大幅壓縮了面向智能手機、PC等消費電子市場的產(chǎn)能供給。
更重要的是,AI算力基建并非短期脈沖,而是將持續(xù)釋放需求的長期賽道。伴隨著大模型、智能體(Agent)的規(guī)?;涞兀瑪?shù)據(jù)需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長,高端存儲的剛性需求將在未來相當(dāng)一段時間內(nèi)持續(xù)存在。
與此同時,存儲行業(yè)的寡頭格局進一步放大了供需矛盾。三星、SK海力士、美光三家廠商,合計掌控全球90%以上的DRAM產(chǎn)能,在定價上擁有絕對話語權(quán)。加之存儲產(chǎn)線擴產(chǎn)周期長、投入成本高,新增產(chǎn)能短期內(nèi)難以釋放,進一步放大了供需失衡的影響。
而在AI持續(xù)“搶產(chǎn)能”的同時,消費電子市場也在同步復(fù)蘇。2025年末,受DRAM和與NAND價格上漲擔(dān)憂影響,PC與智能手機廠商加速出貨以規(guī)避風(fēng)險,推動2025年第四季度出貨量大幅攀升。一邊是AI大廠瘋狂爭搶高端存儲產(chǎn)能,一邊是終端廠商搶消費級現(xiàn)貨,雙重“搶料”之下,存儲市場供需失衡進一步加劇,全行業(yè)漲價成為必然趨勢。
連鎖反應(yīng):從芯片到終端,全產(chǎn)業(yè)鏈承壓加劇
存儲行業(yè)的漲價潮,早已不是上游原廠的“獨角戲”,其沖擊波正快速向下游傳導(dǎo),覆蓋封測、模組到終端消費的每一個環(huán)節(jié),全產(chǎn)業(yè)鏈不得不直面成本高企的壓力,共同為這場漲價熱潮“買單”。
就以終端消費市場而言,在成本端的持續(xù)施壓下,終端消費市場已開始出現(xiàn)實質(zhì)性調(diào)整。據(jù)渠道及ODM廠商透露,OPPO、一加、vivo、小米、iQOO、榮耀等多家頭部手機品牌,已擬定于3月初啟動新一輪產(chǎn)品價格調(diào)整。PC領(lǐng)域同樣未能幸免,聯(lián)想、惠普、戴爾、宏碁、華碩等廠商已相繼釋放漲價信號。
除了手機、PC等主流終端外,漲價的波及面正逐漸向外圍智能硬件加速擴散。據(jù)相關(guān)報道,原本被視為攝影耗材的相機存儲卡價格迎來上漲,多數(shù)SD卡、TF卡、CFexpress Type-B卡出現(xiàn)價格翻倍的情況。與此同時,無人機、AI眼鏡等新興智能設(shè)備也在承壓。以夸克眼鏡為例,線下門店店員已透露即將調(diào)價,盡管具體時間與幅度尚未明確,但漲價的預(yù)期已在渠道端悄然發(fā)酵。
2026年開年的二次漲價,并非本輪存儲超級周期的終點,而更像是中場階段的加速信號,后續(xù)行業(yè)仍將維持高景氣度,且漲價壓力還將持續(xù)向全產(chǎn)業(yè)鏈滲透。
對于整個存儲行業(yè)而言,這場漲價潮正在重塑行業(yè)格局,結(jié)構(gòu)性稀缺的特征將愈發(fā)明顯。無論是上游原廠、中游配套企業(yè),還是下游終端廠商,都需主動調(diào)整策略,應(yīng)對成本壓力與市場變化,而這輪超級周期的持續(xù),也將推動存儲行業(yè)向高端化、集中化方向進一步發(fā)展。